FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：1000V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：21A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：260nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：8500pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
功率耗散（最大值）：462W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 16A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
供應(yīng)商器件封裝：ISOTOP?
封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs