系列：POWER MOS 8??
FET類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：26A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：305nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：7868pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：543W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：396 毫歐 @ 18A，10V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
封裝形式Package：SOT-227
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：1000V
連續(xù)漏極電流ID：26A
無鉛情況/RoHs：否