FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：5A（Ta），12.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：415pF @ 50V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20.8W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：66 毫歐 @ 5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerSMD，扁平引線
封裝形式Package：DFN
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：100V
連續(xù)漏極電流ID：12.5A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs