FET 類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能：邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：19A，31A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：820pF @ 15V
功率 - 最大值：3.1W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerWDFN
供應商器件封裝：8-DFN-EP（5x6）
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs