特色產品：AON6924 30 V Asymmetric N-Channel MOSFET
標準包裝：3,000
類別：分立半導體產品
家庭：FET - 陣列
系列：-
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：2 個 N 通道（半橋）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：15A，28A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：21nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1560pF @ 15V
功率 - 最大值：2W，2.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：8-DFN-EP（5x6）
其它名稱：785-1371-2