FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：15.8A（Ta），40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：20nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1300pF @ 15V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），62W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：8-DFN（3x3）
封裝/外殼：8-PowerSMD，扁平引線
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：15V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs