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標準包裝：1,000

類別：分立半導體產(chǎn)品

家庭：JFET（結點場效應

系列：-

包裝：散裝

FET 類型：P 溝道

電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）：40V

漏源極電壓（Vdss）：-

不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）：4mA @ 15V

漏極電流（Id） - 最大值：-

不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：1.8V @ 1µA

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：7pF @ 15V

電阻 - RDS（開）：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 標準主體

供應商器件封裝：TO-92-3

功率 - 最大值：350mW