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標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng)

系列：-

包裝：帶卷（TR）

FET 類型：P 溝道

電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）：40V

漏源極電壓（Vdss）：-

不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）：2mA @ 15V

漏極電流（Id） - 最大值：-

不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：1V @ 1µA

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：7pF @ 15V

電阻 - RDS（開）：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商器件封裝：TO-92-3

功率 - 最大值：350mW