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2N5458G
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:JFET(結(jié)點(diǎn)場效應(yīng)

系列:-

包裝:散裝

FET 類型:N 溝道

電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V

漏源極電壓(Vdss):25V

不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):2mA @ 15V

漏極電流(Id) - 最大值:-

不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):1V @ 10nA

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V

電阻 - RDS(開):-

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3

功率 - 最大值:310mW

其它名稱:2N5458GOS

介紹圖2N5458G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
2N5458GJFETs − General Purpose N−Channel − Depletion ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)56.47 Kbytes共5頁2N5458G的PDF文件地址KB814,BCY56,SLA5086,GP521,PQ3DZ53,LH4200,MC3346,LMV321,RC01,2SC9011 2N5458G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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