標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
系列:-
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:P 溝道
電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V
漏源極電壓(Vdss):-
不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):2mA @ 15V
漏極電流(Id) - 最大值:-
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):1V @ 1µA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V
電阻 - RDS(開(kāi)):-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3
功率 - 最大值:350mW
2N5461_D26Z
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| 2N5461_D26Z | P-Channel General Purpose Amplifier | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 120.6 Kbytes | 共5頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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