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2N3637UB
規(guī)格信息:

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:UB-3

晶體管極性:PNP

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:175 V

集電極—基極電壓 VCBO:175 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V

集電極—射極飽和電壓:300 V

最大直流電集電極電流:1 A

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 200 C

高度:1.8 mm

長度:3.25 mm

封裝:Waffle

寬度:2.74 mm

商標:Microchip / Microsemi

Pd-功率耗散:1 W

產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:Transistors

介紹圖2N3637UB
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
2N3637UBRADIATION HARDENED MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)233.24 Kbytes共5頁2N3637UB的PDF文件地址 2N3637UB的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
2N3637UBPNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)174.68 Kbytes共5頁2N3637UB的PDF文件地址 2N3637UB的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
2N3637UB/TR雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)MicrosemiMicrosemi的LOGO-天天IC網(wǎng)173.25 Kbytes共5頁2N3637UB/TR的PDF文件地址 2N3637UB/TR的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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