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2N3635L
規(guī)格信息：

晶體管類型PNP

電流 - 集電極（Ic）（最大值）1A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）140V

不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）600mV @ 5mA，50mA

電流 - 集電極截止（最大值）10μA

不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）100 @ 50mA，10V

功率 - 最大值1W

工作溫度-65°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型通孔

封裝/外殼TO-205AA，TO-5-3 金屬罐

供應(yīng)商器件封裝TO-5

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs

2N3635L

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
2N3635L	Low Power Transistors	ONSEMI[ON Semiconductor]	81.68 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
2N3635L	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR	MICROSEMI[Microsemi Corporation]	57.89 Kbytes	共2頁	2SA1979U,2SA1979UF,NTE296,2SA1980,HN9015,2SA1977,MPSA55,2SA1980E,NTE159,2SA1978	產(chǎn)品購買
2N3635L	RADIATION HARDENED	MICROSEMI[Microsemi Corporation]	233.24 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
2N3635L	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR	MICROSEMI[Microsemi Corporation]	174.68 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
2N3635L/TR	雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)	Microsemi	173.25 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買