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2N3636UB
規(guī)格信息:

晶體管類型PNP

電流 - 集電極(Ic)(最大值)1A

電壓 - 集射極擊穿(最大值)175V

不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值)600mV @ 5mA,50mA

電流 - 集電極截止(最大值)10μA

不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)50 @ 50mA,10V

功率 - 最大值1.5W

工作溫度-65°C ~ 200°C(TJ)

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼3-SMD,無引線

供應(yīng)商器件封裝3-SMD

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs

介紹圖2N3636UB
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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2N3636UBPNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)174.68 Kbytes共5頁2N3636UB的PDF文件地址 2N3636UB的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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