������:Diodes Incorporated
�a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g(sh��):Si
���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
���b / ���w:X3-DSN1010-3
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:N-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:12 V
Id-�B�m(x��)©�O���:7.5 A
Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:14.1 mOhms
Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:400 mV
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:8 V
Qg-�ŘO늺�:16 nC
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
Pd-���ʺ�ɢ:1.47 W
����:Single
ͨ��ģʽ:Enhancement
���b:Cut Tape
���b:MouseReel
���b:Reel
���w�����:1 N-Channel
�̘�(bi��o):Diodes Incorporated
����猧(d��o) - ��Сֵ:6.6 S
�½��r�g:7.5 ns
�a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
�����r�g:6.3 ns
���S���b��(sh��)��:3000
��e:MOSFETs
�����P(gu��n)�]���t�r�g:17.9 ns
���ͽ�ͨ���t�r�g:3.7 ns