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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:X4-DSN3118-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Id-連續(xù)漏極電流:24.4 A

Vgs th-柵源極閾值電壓:350 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:4 V

Qg-柵極電荷:45.7 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.47 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標:Diodes Incorporated

下降時間:4.193 ms

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:2.186 ms

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:2.643 ms

典型接通延遲時間:1.005 ms