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制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SM-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.8 A
Rds On-漏源導通電阻:150 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:5 V
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 125 C
Pd-功率耗散:2.13 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標名:IntelliFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:ZXMS600
晶體管類型:2 N-Channel
商標:Diodes Incorporated
下降時間:19 us, 19 us
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:14 us, 14 us
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:34 us, 34 us
典型接通延遲時間:6 us, 6 us
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