制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:600 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:-
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.28 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:IntelliFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.75 mm
長度:4.9 mm
產(chǎn)品:MOSFET
系列:ZXMS6004
類型:Intellifet
寬度:3.9 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時(shí)間:15 us
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:10 us
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 us
典型接通延遲時(shí)間:5 us
單位重量:74 mg
ZXMS6004N8-13
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXMS6004N8-13 | 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE | DIODES[Diodes Incorporated] | 717.68 Kbytes | 共8頁 | 產(chǎn)品購買 |
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