制造商:Diodes Incorporated
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:10.4 A
Rds On-漏源導通電阻:55 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:44 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:10.1 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.39 mm
長度:6.73 mm
系列:ZXMP6
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:6.22 mm
商標:Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值:8.7 S
下降時間:23 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:5.8 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:55 ns
典型接通延遲時間:4.6 ns
單位重量:4 g
ZXMP6A18KTC
| 型號 | 功能描述 | 生產廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXMP6A18KTC | 60V P-channel enhancement mode MOSFET | ZETEX[Zetex Semiconductors] | 582.35 Kbytes | 共8頁 | ZXMP6A17DN8,PJD15N06L,PJP75N06,ZXMP7A17G,ZXMN6A08G,ZXMP62M832,2N6796,PJP75N75,ZXMN10A08G,PJD09N03 | 產品購買 | |||
| ZXMP6A18KTC | 60V P-channel enhancement mode MOSFET | DIODES[Diodes Incorporated] | 589.18 Kbytes | 共8頁 | 產品購買 | ||||
| ZXMP6A18KTC | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1003.71 Kbytes | 共8頁 | 產品購買 |
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