Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特點：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：60V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：2.7A
Rds（最大）@ ID，VGS：125 mOhm @ 2.3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：17.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：637pF @ 30V
功率 - 最大：1.56W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：8SO
渠道類型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：60 V
最大連續(xù)漏極電流：3.42 A
RDS -于：125@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：2.6 ns
典型上升時間：3.4 ns
典型關(guān)閉延遲時間：26.2 ns
典型下降時間：11.3 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2500
最大漏源電壓：60
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：125@10V
每個芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：SO
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOIC
最高工作溫度：150
包裝長度：5(Max)
引腳數(shù)：8
包裝高度：1.5(Max)
最大連續(xù)漏極電流：3.42
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
單位包：2500
最小起訂量：2500
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.7A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP
其他名稱：ZXMP6A17N8TCTR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：125 mOhm @ 2.3A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.56W
漏極至源極電壓（Vdss）：60V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：637pF @ 30V
閘電荷（Qg ） @ VGS：17.7nC @ 10V
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
晶體管極性：P-Channel
源極擊穿電壓：20 V
連續(xù)漏極電流：- 2.7 A
正向跨導(dǎo) - 閔：4.7 S
RDS（ON）：125 mOhms
功率耗散：1.56 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：SOIC-8
配置：Single
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：- 60 V