包裝：8SO
渠道類型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：8.5 A
RDS -于：25@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：3.5 ns
典型上升時間：4.9 ns
典型關(guān)閉延遲時間：44 ns
典型下降時間：28 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標準包裝：Tape & Reel
單位包：500
最小起訂量：1000
FET特點：Logic Level Gate
封裝：Tape & Reel (TR)
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：6.4A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.5V @ 250μA
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
其他名稱：ZXMP3F37N8TADI
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：25 mOhm @ 7.1A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.56W
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：1678pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS：31.6nC @ 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant