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ZXMS6003GTA
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-223-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:385 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:IntelliFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:ZXMS6003

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

商標(biāo):Diodes Incorporated

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:1000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 us

典型接通延遲時(shí)間:3 us

單位重量:112 mg

ZXMS6003GTA

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠(chǎng)商	廠(chǎng)商LOGO	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	PDF文件	相關(guān)型號(hào)	第一頁(yè)預(yù)覽	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
ZXMS6003GTA	60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current limit	ZETEX[Zetex Semiconductors]		683.23 Kbytes	共10頁(yè)		PJD15N06L,PJP75N06,ZXMN6A08G,IXTQ50N20P,ZXMP6A17DN8,ZXMP6A18K,ZXMD65N03N8,APM7312,2N6796,SI6862DQ		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
ZXMS6003GTA	60V N-channel self protected enhancement mode	DIODES[Diodes Incorporated]		789.76 Kbytes	共10頁(yè)				產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)