Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Standard
漏極至源極電壓（VDSS）：100V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：2.4A
Rds（最大）@ ID，VGS：350 mOhm @ 1.4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：10.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：424pF @ 50V
功率 - 最大：2W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：3DPAK
渠道類型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：100 V
最大連續(xù)漏極電流：3.9 A
RDS -于：350@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：3 ns
典型上升時間：3.5 ns
典型關(guān)閉延遲時間：13.4 ns
典型下降時間：7.2 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
FET特點(diǎn)：Standard
封裝：Tape & Reel (TR)
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.4A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3
其他名稱：ZXMP10A17KTR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：350 mOhm @ 1.4A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2W
漏極至源極電壓（Vdss）：100V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：424pF @ 50V
閘電荷（Qg ） @ VGS：10.7nC @ 10V
封裝/外殼：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
晶體管極性：N-Channel
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：3.9 A
RDS（ON）：350 mOhms
功率耗散：10.2 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：DPAK
上升時間：3.5 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：100 V
RoHS：RoHS Compliant
下降時間：7.2 ns