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VN10LP
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:270 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:625 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Bulk

高度:4.01 mm

長(zhǎng)度:4.77 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:VN10

晶體管類型:1 N-Channel

類型:FET

寬度:2.41 mm

商標(biāo):Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:100 mS

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:4000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns

典型接通延遲時(shí)間:10 ns

單位重量:453.600 mg

介紹圖VN10LP
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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