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VN10KN3
規(guī)格信息:

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標:Microchip Technology

Id-連續(xù)漏極電流:310 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:5 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作溫度:- 55 C

工廠包裝數(shù)量:1000

介紹圖VN10KN3
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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VN10KN3N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]的LOGO-天天IC網(wǎng)60.7 Kbytes共2頁VN10KN3的PDF文件地址MRF6S21060NR1,MRF7S19100NR1,MRF7S18170H,MRF373,MTM55N10,IRFF120,MRF5S21130HR3,MTD3055E,MRF6S21100HR3,MRF377HR3 VN10KN3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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VN10KN3-G-P002MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 60V; 5.0 Ohm3 TO-92RVT/RMicrochip Technology Inc.Microchip Technology Inc.的LOGO-天天IC網(wǎng)751.49 Kbytes共14頁VN10KN3-G-P002的PDF文件地址 VN10KN3-G-P002的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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