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VN10K
規(guī)格信息：

通道類型N

最大連續(xù)漏極電流0.17 A

最大漏源電壓60 V

最大漏源電阻值9 0hms

最大柵閾值電壓2.5V

最大柵源電壓15 V, -3 V

封裝類型TO-18

安裝類型通孔

晶體管配置單

引腳數(shù)目3

通道模式增強(qiáng)

類別功率 MOSFET

最大功率耗散0.3125 W

典型關(guān)斷延遲時(shí)間10 ns

典型輸入電容值@Vds60 pF V @ 25

晶體管材料Si

每片芯片元件數(shù)目1

最低工作溫度-55 °C

長度5.84mm

高度5.33mm

最高工作溫度+150 °C

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs

介紹圖VN10K
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VN10KN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)229.3 Kbytes共3頁VN10K的PDF文件地址 VN10K的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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VN10KN3-P002N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)631.72 Kbytes共5頁VN10KN3-P002的PDF文件地址 VN10KN3-P002的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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