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TPIC5404NE
規(guī)格信息:

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:350 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.075 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:PDIP-16

商標:Texas Instruments

通道模式:Enhancement

配置:Quad

下降時間:25 ns

最小工作溫度:- 40 C

上升時間:15 ns

系列:TPIC5404

典型關閉延遲時間:40 ns

典型接通延遲時間:32 ns

介紹圖TPIC5404NE
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
TPIC5404NEH-BRIDGE POWER DMOS ARRAY TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網(wǎng)270.92 Kbytes共15頁TPIC5404NE的PDF文件地址 TPIC5404NE的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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