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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:2.25 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 9 V to 18 V

最大工作溫度:+ 150 C+ 150 C

Pd-功率耗散:1390 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-24

商標(biāo):Texas Instruments

通道模式:Enhancement

配置:Quad

下降時(shí)間:14 ns

最小工作溫度:- 40 C

上升時(shí)間:14 ns

系列:TPIC5403

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:27 ns

典型接通延遲時(shí)間:32 ns