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TPIC5322LD
規(guī)格信息：

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:1 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1090 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-16

商標(biāo):Texas Instruments

通道模式:Enhancement

配置:Triple Dual Drain Dual Source

下降時(shí)間:5 ns

最小工作溫度:- 40 C

上升時(shí)間:5 ns

系列:TPIC5322L

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns

典型接通延遲時(shí)間:21 ns

介紹圖TPIC5322LD
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
TPIC5322LD3-CHANNEL INDEPENDENT LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網(wǎng)228.36 Kbytes共12頁TPIC5322LD的PDF文件地址 TPIC5322LD的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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