通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：59 A
最大漏源電壓：100 V
最大漏源電阻值：8.8 m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：SOP 高級(jí)
安裝類型：表面貼裝
引腳數(shù)目：8
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：61 W
尺寸：5 x 5 x 0.95mm
系列：TPH
每片芯片元件數(shù)目：1
晶體管材料：Si
最高工作溫度：+150 °C
典型輸入電容值@Vds：2180 pF @ 50 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：33 ns
典型接通延遲時(shí)間：19 ns
寬度：5mm
高度：0.95mm
典型柵極電荷@Vgs：33 nC @ 10 V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs