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TPH4R008NH
規(guī)格信息：

制造廠商:TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]

描述:MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

介紹圖TPH4R008NH
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
TPH4R008NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)239.78 Kbytes共9頁TPH4R008NH的PDF文件地址 TPH4R008NH的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
TPH4R008NH,L1QMOSFET U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFETToshibaToshiba的LOGO-天天IC網(wǎng)389.47 Kbytes共10頁TPH4R008NH,L1Q的PDF文件地址 TPH4R008NH,L1Q的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
TPH4R008NH,L1QMOSFET N CH 80V 60A SOP ADVToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO-天天IC網(wǎng)389.47 Kbytes共10頁TPH4R008NH,L1Q的PDF文件地址 TPH4R008NH,L1Q的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
TPH4R008NH,L1QMOSFET N-CH 80V 60A 8SOPToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO-天天IC網(wǎng)389.47 Kbytes共10頁TPH4R008NH,L1Q的PDF文件地址 TPH4R008NH,L1Q的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
TPH4R008NH,L1Q連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：60A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：80V 柵源極閾值電壓：4V @ 1mA 漏源導通電阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 類型：N溝道TOSHIBA(東芝)TOSHIBA(東芝)的LOGO-天天IC網(wǎng)234.80 Kbytes共9頁TPH4R008NH,L1Q的PDF文件地址 TPH4R008NH,L1Q的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
TPH4R008NH,L1Q(M連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：60A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：80V 柵源極閾值電壓：4V @ 1mA 漏源導通電阻：4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 類型：N溝道TOSHIBA(東芝)TOSHIBA(東芝)的LOGO-天天IC網(wǎng)234.68 Kbytes共9頁TPH4R008NH,L1Q(M的PDF文件地址 TPH4R008NH,L1Q(M的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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