通道類(lèi)型：N
最大連續(xù)漏極電流：93 A
最大漏源電壓：100 V
最大漏源電阻值：4.5m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最小柵閾值電壓：2V
最大柵源電壓：±20 V
封裝類(lèi)型：SOP
安裝類(lèi)型：表面貼裝
引腳數(shù)目：8
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類(lèi)別：功率 MOSFET
最大功率耗散：78 W
典型接通延遲時(shí)間：25 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：52 ns
典型輸入電容值@Vds：4000 pF @ 50 V
典型柵極電荷@Vgs：58 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目：1
寬度：5mm
高度：0.95mm
正向二極管電壓：1.2V
尺寸：5 x 5 x 0.95mm
最高工作溫度：+150 °C
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs