通道類(lèi)型：P
最大連續(xù)漏極電流：16 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：6.9 m0hms
最大柵閾值電壓：2V
最大柵源電壓：-25 V，+20 V
封裝類(lèi)型：SOP
安裝類(lèi)型：表面貼裝
引腳數(shù)目：8
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類(lèi)別：功率 MOSFET
最大功率耗散：1.9 W
高度：1.5mm
尺寸：5 x 4.4 x 1.5mm
寬度：4.4mm
最高工作溫度：+150 °C
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：115 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：4800 pF @ -10 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：420 ns
典型接通延遲時(shí)間：19 ns
長(zhǎng)度：5mm
每片芯片元件數(shù)目：1
系列：TPC
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs