盗墓笔记第二季,小说

TPC8125
規(guī)格信息：

通道類型：P

最大連續(xù)漏極電流：10 A

最大漏源電壓：30 V

最大漏源電阻值：17 m0hms

最大柵閾值電壓：2V

最大柵源電壓：-25 V，+20 V

封裝類型：SOP

安裝類型：表面貼裝

引腳數(shù)目：8

晶體管配置：單

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：1.9 W

最高工作溫度：+150 °C

每片芯片元件數(shù)目：1

長度：4.9mm

高度：1.52mm

系列：TPC

寬度：3.9mm

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：64 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：2580 pF @ -10 V

典型關(guān)斷延遲時間：245 ns

典型接通延遲時間：16 ns

尺寸：4.9 x 3.9 x 1.52mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

TPC8125

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
TPC8125	Lithium Ion Battery Applications Power Management Switch Applications	TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]	227.91 Kbytes	共7頁	產(chǎn)品購買
TPC8125,LQ(S	MOSFET N-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W	Toshiba	278.67 Kbytes	共7頁	產(chǎn)品購買
TPC8125,LQ(S	MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP	Toshiba Semiconductor and Storage	282.97 Kbytes	共7頁	產(chǎn)品購買