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通道類型：P

最大連續(xù)漏極電流：12 A

最大漏源電壓：40 V

最大漏源電阻值：10 m0hms

最大柵閾值電壓：2V

最大柵源電壓：-25 V，+20 V

封裝類型：SOP

安裝類型：表面貼裝

引腳數(shù)目：8

晶體管配置：單

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：1.9 W

每片芯片元件數(shù)目：1

高度：1.5mm

尺寸：5 x 4.4 x 1.5mm

系列：TPC

最高工作溫度：+150 °C

典型柵極電荷@Vgs：104 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：4750 pF @ -10 V

典型關(guān)斷延遲時間：390 ns

典型接通延遲時間：17 ns

寬度：4.4mm

長度：5mm

晶體管材料：Si

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs