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TP0610K
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TP0610K-T1-E3P-Channel 60 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)987.2 Kbytes共7頁TP0610K-T1-E3的PDF文件地址 TP0610K-T1-E3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
TP0610K-T1-GE3MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)214.61 Kbytes共8頁TP0610K-T1-GE3的PDF文件地址 TP0610K-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
TP0610K-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)174.57 Kbytes共7頁TP0610K-T1-GE3的PDF文件地址 TP0610K-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
TP0610K-T1-GE3連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):185mA 漏源電壓(Vdss):-60V 柵源極閾值電壓:3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 類型:P溝道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO-天天IC網(wǎng)212.19 Kbytes共8頁TP0610K-T1-GE3的PDF文件地址 TP0610K-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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