制造商:Microchip
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
Id-連續(xù)漏極電流:- 430 mA
Vds-漏源極擊穿電壓:- 40 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.5 Ohms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-92-3
封裝:Reel
商標(biāo):Microchip Technology
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:6 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:7 ns
工廠包裝數(shù)量:2000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns
典型接通延遲時(shí)間:5 ns
TP0604N3-GP003
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| TP0604N3-GP003 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | SUTEX[Supertex, Inc] | 697.33 Kbytes | 共5頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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