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TP0604N3-GP014
規(guī)格信息：

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

Id-連續(xù)漏極電流:- 430 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:- 40 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.5 Ohms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

封裝:Reel

商標(biāo):Microchip Technology

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:6 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:7 ns

工廠包裝數(shù)量:2000

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns

典型接通延遲時(shí)間:5 ns

介紹圖TP0604N3-GP014
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
TP0604N3-GP014P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)697.33 Kbytes共5頁TP0604N3-GP014的PDF文件地址 TP0604N3-GP014的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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