其它有關文件：STL8N65M5 View All Specifications
標準包裝：3,000
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：MDmesh? V
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：1.4A（Ta），7A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：690pF @ 100V
功率 - 最大值：70W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：14-PowerVQFN
供應商器件封裝：PowerFLAT?（5x5）
其它名稱：497-11850-2