系列：MDmesh? II Plus
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：18A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：29nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1060pF @ 100V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：210 毫歐 @ 9A，10V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：4-PowerFlat? HV
封裝形式Package：Power
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：600V
連續(xù)漏極電流ID：18A
RoHS：符合 RoHS
125 W：Pd - 功率消耗
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
品牌：STMicroelectronics
下降時(shí)間：15 ns
上升時(shí)間：9 ns
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量：3000
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間：60 ns
晶體管極性：N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓：600 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：25 V
Id - C連續(xù)漏極電流：18 A
Rds On - 漏-源電阻：186 m0hms
配置：Single
Vgs th - 門源門限電壓：3 V
29 nC：Qg - 閘極充電
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs