其它有關(guān)文件：STL18N55M5 View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：MDmesh? V
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：550V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：2.4A（Ta），13A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：270 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：31nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1352pF @ 100V
功率 - 最大值：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：4-PowerFlat? HV
供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（8x8） HV
其它名稱：497-12979-2