其它有關(guān)文件：STL8DN6LF3 View All Specifications
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Automotive Grade Transistors and Discretes
標準包裝：3,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：STripFET?? III
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：20A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：13nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：668pF @ 25V
功率 - 最大值：65W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（5x6）
其它名稱：497-13169-2