系列：SuperMESH5??
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：4.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：5V @ 100μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：7.5nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：255pF @ 100V
Vgs（最大值）：30V
功率耗散（最大值）：85W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.6 歐姆 @ 2A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
封裝形式Package：I2PAK
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：800V
連續(xù)漏極電流ID：4.5A
Ciss - 輸入電容：255 pF
Id - C連續(xù)漏極電流：4.5 A
品牌：STMicroelectronics
安裝風(fēng)格：Through Hole
晶體管極性：N-Channel
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度：+ 150 C
通道模式：Enhancement
配置：Single
Pd - 功率消耗：110 W
Qg - 閘極充電：7.5 nC
Rds On - 漏-源電阻：1.6 0hms
Vds - 漏-源擊穿電壓：800 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：± 30 V
Vgs th - 門源門限電壓：4 V
無鉛情況/RoHs：否