制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-262-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:26 A
Rds On-漏源導通電阻:125 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:45.5 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:190 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STI33N60M2
晶體管類型:1 N-Channel
商標:STMicroelectronics
下降時間:9 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:9.6 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:109 ns
典型接通延遲時間:16 ns
單位重量:2.084 g
STI33N60M2
| 型號 | 功能描述 | 生產廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STI33N60M2 | N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 1092.15 Kbytes | 共19頁 | 產品購買 |
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