制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-262-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:55 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:16 V
Qg-柵極電荷:27 nC
最小工作溫度:- 60 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:80 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
商標(biāo)名:STripFET
封裝:Tube
高度:4.6 mm
長度:10.4 mm
系列:STI55NF03L
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:9.35 mm
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:50 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:400 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns
典型接通延遲時(shí)間:28 ns
單位重量:2.084 g