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STGP10M65DF2
規(guī)格信息:

IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V

電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A

脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A

不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,10A

功率 - 最大值:115W

開關(guān)能量:120μJ(開),270μJ(關(guān))

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷:28nC

25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:19ns/91ns

測(cè)試條件:400V,10A,22 歐姆,15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr):96ns

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220

無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖STGP10M65DF2
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
STGP10M65DF2Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)945.33 Kbytes共18頁(yè)STGP10M65DF2的PDF文件地址 STGP10M65DF2的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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