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STGD1100LT1G
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:3.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:55 mOhms

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:NTGD1100L

商標:ON Semiconductor

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

介紹圖STGD1100LT1G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STGD1100LT1GPower MOSFET ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)77.18 Kbytes共5頁STGD1100LT1G的PDF文件地址 STGD1100LT1G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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