系列：MDmesh? V
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：58A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：143nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：6420pF @ 100V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：79W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：45 毫歐 @ 29A，10V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-3P-3 整包
封裝形式Package：TO-3PF
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：650V
連續(xù)漏極電流ID：58A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs