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STFI6N80K5
規(guī)格信息:

系列:SuperMESH5??

FET類型:N 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):4.5A(Tc)

驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA

不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V

不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):270pF @ 100V

Vgs(最大值):30V

功率耗散(最大值):25W(Tc)

不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):1.6 歐姆 @ 2A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak

封裝形式Package:I2PAKFP

極性Polarity:N-CH

漏源極擊穿電壓VDSS:800V

連續(xù)漏極電流ID:4.5A

無鉛情況/RoHs:

介紹圖STFI6N80K5
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STFI6N80K5Ultra low gate charge STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)831.19 Kbytes共15頁STFI6N80K5的PDF文件地址 STFI6N80K5的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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