系列:SuperMESH5??
FET類型:N 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):4.5A(Tc)
驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):270pF @ 100V
Vgs(最大值):30V
功率耗散(最大值):25W(Tc)
不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):1.6 歐姆 @ 2A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak
封裝形式Package:I2PAKFP
極性Polarity:N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:800V
連續(xù)漏極電流ID:4.5A
無鉛情況/RoHs:否
STFI6N80K5
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| STFI6N80K5 | Ultra low gate charge | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 831.19 Kbytes | 共15頁 | 產(chǎn)品購買 |
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