FET 類(lèi)型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）525V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）4A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）12nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）340pF @ 100V
功率耗散（最大值）20W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）2.6 歐姆 @ 2.2A，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型通孔
供應(yīng)商器件封裝I2PAKFP（TO-281）
封裝/外殼TO-262-3 整包，I2Pak
無(wú)鉛情況/RoHs無(wú)鉛/符合RoHs