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制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

RoHS:是

技術(shù):Si

封裝 / 箱體:DPAK-3

安裝風格:SMD/SMT

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V

集電極—射極飽和電壓:1.6 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:8 A

Pd-功率耗散:68 W

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

系列:STGD4M65DF2

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

集電極最大連續(xù)電流 Ic:8 A

商標:STMicroelectronics

柵極—射極漏泄電流:+/- 250 uA

產(chǎn)品類型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:IGBTs